Быстродействующий тиристор

Описание:

Быстродействующий тиристор с такой же структурой и символом, что и тиристор управления фазой, в то время как лучшие статические характеристики, особенно динамические характеристики, требуются для высокочастотного применения схемы выпрямления, прерывания, инвертора и преобразования частоты.Динамические параметры быстродействующего тиристора: высокая скорость включения и скорость расширения, меньший заряд обратного восстановления и короткое время выключения, высокая критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии (di/dt) и критическая скорость повышение напряжения в закрытом состоянии (dv/dt).Номинальный ток быстродействующего тиристора в пределах номинальной частоты не уменьшается или несколько уменьшается при увеличении частоты.

Стандарт производства тиристоров с быстрым переключением и технология обработки RUNAU Electronics были представлены в США с 1980-х годов, как пионер производства тиристоров в Китае, техническая команда RUNAU приобрела передовые знания и достаточный производственный опыт за более чем 30 лет.На основе традиционного производственного процесса талантливые специалисты RUNAU Electronics разработали передовую технологию производства тиристоров с преимуществами европейских продуктов, качество и производительность значительно улучшены, более крупные победы достигнуты в приложениях силовой электроники, и больше ценности было создано для партнеров.

Введение:

1. Чип

Чип тиристора производства RUNAU Electronics изготовлен по технологии спеченного сплава.Пластина кремния и молибдена была спечена для легирования чистым алюминием (99,999%) в условиях высокого вакуума и высокой температуры.Управление характеристиками спекания является ключевым фактором, влияющим на качество тиристора.Ноу-хау RUNAU Electronics в дополнение к управлению глубиной соединения сплава, плоскостностью поверхности, полостью сплава, а также навыками полной диффузии, рисунком кольцевого круга, специальной структурой затвора.Также была использована специальная обработка для сокращения срока службы носителей в устройстве, так что скорость внутренней рекомбинации носителей значительно увеличилась, заряд обратного восстановления устройства уменьшился и, следовательно, улучшилась скорость переключения.Такие измерения применялись для оптимизации характеристик быстрого переключения, характеристик во включенном состоянии и свойств импульсного тока.Работа производительности и проводимости тиристора надежна и эффективна.

2. Инкапсуляция

При строгом контроле плоскостности и параллельности молибденовой пластины и внешней упаковки чип и молибденовая пластина будут плотно и полностью интегрированы с внешней упаковкой.Это позволит оптимизировать сопротивление импульсному току и высокому току короткого замыкания.И измерение технологии электронного испарения было использовано для создания толстой алюминиевой пленки на поверхности кремниевой пластины, а слой рутения, нанесенный на поверхность молибдена, значительно повысит стойкость к термической усталости, срок службы тиристора с быстрым переключением будет значительно увеличен.

Техническая спецификация

1. Быстродействующий тиристор с микросхемой из сплава производства RUNAU Electronics, диапазон I_ТАВот 200А до 4000А и В_DRM/V_RRMот 1200В до 4500В.
2. I_GT, В_GTи я_Hявляются тестовыми значениями при 25 ℃, если не указано иное, все остальные параметры являются тестовыми значениями при T_jm;
3. I²т=я²F SM×tw/2, tw= ширина базы синусоидальной полуволны тока.На частоте 50 Гц я²т=0,005I²FSM(A²С);
4. При 60 Гц: я_ФШМ(8,3 мс)=I_ФШМ(10 мс)×1,066,Т_j=T_j;я²т (8,3 мс) = я²t(10 мс)×0,943,T_j=T_jm

Параметр: