Недавно в Рунау была создана платформа моделирования нового типа силовых полупроводниковых устройств.С помощью передовой платформы моделирования и комбинированных испытаний и анализа были проведены плодотворные углубленные исследования структуры устройства и соответствующей базовой теории.Использование передовой теории и исследовательской платформы позволило компании разработать и освоить технологию обработки ключей 5-дюймового тиристорного чипа, GTO и IGCT.Полная производственная мощность по производству тиристоров, выпрямительных диодов, модулей Шоттки, IGCT, IGBT, высоковольтных и сильноточных тиристоров, а также создание пилотной испытательной платформы для сверхбыстровосстанавливающихся диодов — все это было успешно доступно в Рунау.Мы готовимся к еще одному серьезному шагу по созданию производственной базы силовой электроники в Китае.