Описание:

Квадратный тиристорный чип представляет собой разновидность тиристорного чипа и представляет собой четырехслойную полупроводниковую структуру с тремя PN-переходами, включая затвор, катод, кремниевую пластину и анод.Катод, кремниевая пластина и анод имеют плоскую и квадратную форму.К одной стороне кремниевой пластины прикреплен катод, к другой стороне - анод, на катоде открыто свинцовое отверстие, а в отверстии устроен затвор.Поверхность затвора, катода и анода покрыта припоем.Основные производственные процессы включают в себя: очистку кремниевых пластин, диффузию, окисление, фотолитографию, коррозию, пассивационную защиту, металлизацию, тестирование и нарезку.

Производственный портфель:

• ИТАВ=25А~200А,

• ВРД=1600В

Тип ворот:

• Треугольные угловые ворота: ITAV=25A~60A

• Круглые центральные ворота: ITAV=110A~200A

Состав:

• Двойная столовая гора

• Металлизированный анод представляет собой многослойный металлический TiNiAg или Al+TiNiAg.

• Металлизированный катодный слой Al или TiNiAg.

Функции:

• Распределенная диффузия алюминия, низкое падение напряжения в открытом состоянии, высокое напряжение блокировки

• Форма с двойным отрицательным углом

• Материал пассивирующей защиты: SIPOS+GLASS+LTO

• Низкий IL и широкое применение

• Толстый алюминиевый слой и легкое склеивание

• Отличная согласованность срабатывания